硅基探测器及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202210338297.7

申请日：

2022-04-01

公开(公告)号：

CN114927589A

公开(公告)日：

2022-08-19

发明(设计)人：

孙朋傅剑宇许高博丁明正殷华湘陈大鹏

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L31105 H01L3118 H01L21266

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

佟林松

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-19	公开	公开
2022-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20220401

共 50 条

[1]

硅基探测器及其制作方法 [P].

许高博 ;

翟琼华 ;

丁明正 ;

傅剑宇 ;

孙朋 ;

殷华湘 ;

颜刚平 ;

田国良 .

中国专利 :CN113299785B ,2021-08-24

[2]

硅基光电探测器及其制作方法 [P].

盛振 ;

武爱民 ;

仇超 ;

赵瑛璇 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

王曦 .

中国专利 :CN108878544A ,2018-11-23

[3]

硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法 [P].

郑婉华 ;

彭红玲 .

中国专利 :CN108573989B ,2018-09-25

[4]

硅基Ge光探测器阵列及其制作方法 [P].

仇超 ;

武爱民 ;

盛振 ;

高腾 ;

甘甫烷 ;

赵颖璇 ;

李军 .

中国专利 :CN106952983A ,2017-07-14

[5]

硅基铂硅纳米管探测器及其制作方法 [P].

李华高 ;

雷仁方 ;

廖乃镘 ;

袁安波 ;

邓涛 .

中国专利 :CN107394000A ,2017-11-24

[6]

1064nm硅基雪崩探测器及其制作方法 [P].

黄烈云 ;

姜华男 ;

黄建 ;

罗春林 ;

伍明娟 ;

龙雨霞 .

中国专利 :CN106356290A ,2017-01-25

[7]

红外探测器及其制作方法 [P].

颜建 .

中国专利 :CN120152401A ,2025-06-13

[8]

红外探测器及其制作方法 [P].

黄勇 .

中国专利 :CN119050181A ,2024-11-29

[9]

红外探测器及其制作方法 [P].

赵宇 ;

吴启花 ;

李欣 ;

黄勇 .

中国专利 :CN112701171B ,2021-04-23

[10]

低暗电流硅基锗探测器的制作方法 [P].

刘恋 ;

高建威 ;

郭安然 ;

杨修伟 ;

刘鹏浩 ;

雷仁方 .

中国专利 :CN111933729B ,2020-11-13

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