非易失性内存及其制作工艺

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专利类型
发明
申请号
CN01119624.6
申请日
2001-05-16
公开(公告)号
CN1385903A
公开(公告)日
2002-12-18
发明(设计)人
周国煜
申请人
申请人地址
台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号
IPC主分类号
H01L27105
IPC分类号
H01L218242
代理机构
上海专利商标事务所
代理人
任永武
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失性内存 [P]. 
D·卡萨罗托 ;
K·胡姆勒 .
中国专利 :CN1757102A ,2006-04-05
[2]
一种非易失性内存及其操作方法、制作方法 [P]. 
赤荻隆男 ;
吴怡德 ;
陈宜秀 .
中国专利 :CN103579247A ,2014-02-12
[3]
非易失性内存单元 [P]. 
徐德训 ;
陈纬仁 ;
陈学威 ;
曹沐潆 ;
陈英哲 .
中国专利 :CN104517970B ,2015-04-15
[4]
非易失性内存和易失性内存混合管理方法及其系统 [P]. 
叶怀胜 .
中国专利 :CN109992451A ,2019-07-09
[5]
非易失性存储单元及其操作方法与非易失性内存 [P]. 
徐子轩 ;
施彦豪 .
中国专利 :CN100386883C ,2006-06-21
[6]
差分式非易失性内存电路 [P]. 
柏正豪 ;
杨政德 .
中国专利 :CN110390967A ,2019-10-29
[7]
非易失性内存及控制方法 [P]. 
周百钧 .
中国专利 :CN101620572A ,2010-01-06
[8]
非易失性内存装置及其垃圾收集方法 [P]. 
林坪谚 .
中国专利 :CN120523744A ,2025-08-22
[9]
内存系统以及非易失性内存的控制方法 [P]. 
菅野伸一 .
中国专利 :CN106371761A ,2017-02-01
[10]
非易失性半导体存储器 [P]. 
清水达雄 ;
村冈浩一 .
中国专利 :CN101471385A ,2009-07-01