光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法、以及抗蚀图案形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680050261.1

申请日：

2016-08-25

公开(公告)号：

CN107924131A

公开(公告)日：

2018-04-17

发明(设计)人：

樋田匠牧野嶋高史佐藤隆越后雅敏

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F711

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/11 申请日:20160825
2020-12-25	授权	授权
2018-04-17	公开	公开

共 50 条

[1]

光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法 [P].

樋田匠 ;

牧野嶋高史 ;

佐藤隆 ;

越后雅敏 .

中国专利 :CN107949808B ,2018-04-20

[2]

光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

东原豪 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN103733136A ,2014-04-16

[3]

光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

东原豪 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN106094440A ,2016-11-09

[4]

光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

冈田佳奈 ;

牧野嶋高史 ;

越后雅敏 ;

东原豪 ;

大越笃 .

中国专利 :CN107430344A ,2017-12-01

[5]

光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜以及图案形成方法 [P].

冈田佳奈 ;

牧野岛高史 ;

越后雅敏 ;

东原豪 ;

大越笃 .

中国专利 :CN106575083A ,2017-04-19

[6]

光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

冈田佳奈 ;

牧野嶋高史 ;

越后雅敏 ;

东原豪 ;

大越笃 .

中国专利 :CN107533297A ,2018-01-02

[7]

化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

牧野岛高史 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN104969127B ,2015-10-07

[8]

化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

牧野岛高史 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN104981463B ,2015-10-14

[9]

光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、抗蚀图案形成方法、及电路图案形成方法 [P].

冈田佳奈 ;

牧野嶋高史 ;

越后雅敏 ;

东原豪 ;

大越笃 .

中国专利 :CN107407884A ,2017-11-28

[10]

光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

堀内淳矢 ;

牧野岛高史 ;

越后雅敏 .

中国专利 :CN113166415A ,2021-07-23

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