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化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201480007892.6
申请日：
2014-02-04
公开(公告)号：
CN104969127B
公开(公告)日：
2015-10-07
发明(设计)人：
越后雅敏 牧野岛高史 内山直哉
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
G03F711
IPC分类号：
C07D49304 H01L21027
代理机构：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人：
刘新宇;李茂家
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-11-26 授权 授权
2015-10-07 公开 公开
2016-01-06 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101641278488 IPC(主分类):G03F 7/11 专利申请号:2014800078926 申请日:20140204
共 50 条
[1]
化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
越后雅敏 ;
牧野岛高史 ;
内山直哉 .
中国专利 :CN104981463B ,2015-10-14
[2]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
越后雅敏 ;
东原豪 ;
内山直哉 .
中国专利 :CN103733136A ,2014-04-16
[3]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
越后雅敏 ;
东原豪 ;
内山直哉 .
中国专利 :CN106094440A ,2016-11-09
[4]
化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、图案形成方法及化合物或树脂的纯化方法 [P]. 
冈田佳奈 ;
堀内淳矢 ;
牧野嶋高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN107406383A ,2017-11-28
[5]
光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
冈田佳奈 ;
牧野嶋高史 ;
越后雅敏 ;
东原豪 ;
大越笃 .
中国专利 :CN107430344A ,2017-12-01
[6]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法 [P]. 
樋田匠 ;
牧野嶋高史 ;
佐藤隆 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN107949808B ,2018-04-20
[7]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法、以及抗蚀图案形成方法 [P]. 
樋田匠 ;
牧野嶋高史 ;
佐藤隆 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN107924131A ,2018-04-17
[8]
光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
冈田佳奈 ;
牧野嶋高史 ;
越后雅敏 ;
东原豪 ;
大越笃 .
中国专利 :CN107533297A ,2018-01-02
[9]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
堀内淳矢 ;
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN113166415A ,2021-07-23
[10]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
冈田佳奈 ;
堀内淳矢 ;
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN110637256A ,2019-12-31
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