包含缓冲器电路的半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780032747.7

申请日：

2017-05-23

公开(公告)号：

CN109313917A

公开(公告)日：

2019-02-05

发明(设计)人：

新井鉄也塚田修一谷口淳纪

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

G11C710

IPC分类号：

G11C514

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/10 申请日:20170523
2019-02-05	公开	公开

共 50 条

[1]

输出缓冲器电路以及半导体装置 [P].

土弘 .

日本专利 :CN117792373A ,2024-03-29

[2]

具有输入缓冲器电路的半导体装置 [P].

西村俊 ;

松野裕之 .

美国专利 :CN121075387A ,2025-12-05

[3]

输出缓冲器及半导体装置 [P].

宫崎真裕 ;

桥立修一 .

中国专利 :CN103580674B ,2014-02-12

[4]

输出缓冲器电路、数据驱动器、显示装置以及半导体装置 [P].

土弘 .

日本专利 :CN118675437A ,2024-09-20

[5]

缓冲器电路以及具有缓冲器电路的功率半导体模块 [P].

M·施吕特 ;

A·乌勒曼 .

中国专利 :CN112188730A ,2021-01-05

[6]

缓冲器电路以及具有缓冲器电路的功率半导体模块 [P].

M·施吕特 ;

A·乌勒曼 .

德国专利 :CN112188730B ,2024-10-29

[7]

信号缓冲器电路 [P].

渡边贤一 ;

涩谷萌叶 .

中国专利 :CN115148232A ,2022-10-04

[8]

包括页缓冲器的半导体装置 [P].

吴星来 ;

金东赫 ;

朴泰成 ;

丁寿男 .

中国专利 :CN113223580A ,2021-08-06

[9]

包括页缓冲器的半导体装置 [P].

吴星来 ;

金东赫 ;

朴泰成 ;

丁寿男 .

韩国专利 :CN113223580B ,2024-05-24

[10]

输入缓冲器和包括该输入缓冲器的半导体装置 [P].

金晋贤 .

中国专利 :CN1630191A ,2005-06-22

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