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具有输入缓冲器电路的半导体装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510706195.X
申请日：
2025-05-29
公开(公告)号：
CN121075387A
公开(公告)日：
2025-12-05
发明(设计)人：
西村俊 松野裕之
申请人：
美光科技公司
申请人地址：
美国爱达荷州
IPC主分类号：
G11C11/4093
IPC分类号：
G11C11/408
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
江泰維
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-05 公开 公开
共 50 条
[1]
输入缓冲器电路和具有该输入缓冲器电路的半导体设备 [P]. 
中岛胜也 .
中国专利 :CN1320759C ,2005-02-09
[2]
输入缓冲器电路 [P]. 
塚田修一 .
中国专利 :CN110326044A ,2019-10-11
[3]
输入缓冲器和包括该输入缓冲器的半导体装置 [P]. 
金晋贤 .
中国专利 :CN1630191A ,2005-06-22
[4]
数据输入缓冲器和包括数据输入缓冲器的半导体装置 [P]. 
黄珍夏 ;
郑尧韩 ;
安根善 .
中国专利 :CN114388010A ,2022-04-22
[5]
数据输入缓冲器和包括数据输入缓冲器的半导体装置 [P]. 
黄珍夏 ;
郑尧韩 ;
安根善 .
韩国专利 :CN114388010B ,2025-12-09
[6]
半导体集成电路的输入缓冲器 [P]. 
R·福伊勒 .
中国专利 :CN1288290A ,2001-03-21
[7]
包含缓冲器电路的半导体装置 [P]. 
新井鉄也 ;
塚田修一 ;
谷口淳纪 .
中国专利 :CN109313917A ,2019-02-05
[8]
用于半导体装置中的数据输入缓冲器 [P]. 
姜熙福 ;
安进弘 .
中国专利 :CN1829090B ,2006-09-06
[9]
输出缓冲器电路以及半导体装置 [P]. 
土弘 .
日本专利 :CN117792373A ,2024-03-29
[10]
缓冲器电路以及具有缓冲器电路的功率半导体模块 [P]. 
M·施吕特 ;
A·乌勒曼 .
中国专利 :CN112188730A ,2021-01-05
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