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一种基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811021429.3
申请日：
2018-09-03
公开(公告)号：
CN109001281B
公开(公告)日：
2018-12-14
发明(设计)人：
毛乐宝 张修华 文为 何汉平 王升富
申请人：
申请人地址：
430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
IPC主分类号：
G01N27327
IPC分类号：
代理机构：
北京金智普华知识产权代理有限公司 11401
代理人：
杨采良
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-12 专利权的终止 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/327 申请日:20180903 授权公告日:20200630 终止日期:20210903
2019-01-08 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/327 申请日:20180903
2018-12-14 公开 公开
2020-06-30 授权 授权
共 50 条
[1]
基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
张修华 ;
毛乐宝 ;
文为 ;
河汉平 ;
王升富 .
中国专利 :CN108828036A ,2018-11-16
[2]
一种分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
杨钰昆 ;
闫文艳 ;
张锦华 ;
王小敏 ;
郭彩霞 ;
尉立刚 ;
张国华 ;
范三红 .
中国专利 :CN111272857A ,2020-06-12
[3]
对苯二酚分子印迹光电化学传感器、其制备方法和应用 [P]. 
王兰 ;
李聪 ;
秦笑梅 ;
范赵亚 ;
岳峰 ;
张宏忠 ;
金宝丹 ;
张肖静 ;
赵建国 ;
杜京京 ;
张珂 .
中国专利 :CN115343339A ,2022-11-15
[4]
基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
毛乐宝 ;
张修华 ;
文为 ;
何汉平 ;
王升富 .
中国专利 :CN110243889A ,2019-09-17
[5]
对苯二酚分子印迹光电化学传感器、其制备方法和应用 [P]. 
王兰 ;
李聪 ;
秦笑梅 ;
范赵亚 ;
岳峰 ;
张宏忠 ;
金宝丹 ;
张肖静 ;
赵建国 ;
杜京京 ;
张珂 .
中国专利 :CN115343339B ,2024-11-26
[6]
光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
梅丽萍 ;
徐本芳 ;
宋沛 ;
王爱军 ;
冯九菊 .
中国专利 :CN118258869A ,2024-06-28
[7]
一种光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
杨钰昆 ;
魏浩浩 ;
王小敏 ;
白宝清 ;
张锦华 ;
范三红 ;
尉立刚 ;
郭彩霞 .
中国专利 :CN114839246A ,2022-08-02
[8]
一种基于分子印迹双波长便携式光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
于磊 ;
张俏 ;
孙悦 .
中国专利 :CN118759015A ,2024-10-11
[9]
一种分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
邵彦明 ;
郑蕊 ;
王鹏 ;
赵芝镇 ;
安军 ;
郝彩凤 ;
康萌仪 .
中国专利 :CN115808451B ,2025-09-16
[10]
一种基于分子印迹双波长便携式光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
于磊 ;
张俏 ;
孙悦 .
中国专利 :CN118759015B ,2025-04-08
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