基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810606336.0

申请日：

2018-06-12

公开(公告)号：

CN108828036A

公开(公告)日：

2018-11-16

发明(设计)人：

张修华毛乐宝文为河汉平王升富

申请人：

申请人地址：

430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

IPC主分类号：

G01N2730

IPC分类号：

G01N27327

代理机构：

北京金智普华知识产权代理有限公司 11401

代理人：

杨采良

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/30 申请日:20180612
2018-11-16	公开	公开
2019-03-19	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):G01N 27/30 变更事项:发明人变更前:张修华毛乐宝文为河汉平王升富变更后:张修华毛乐宝文为何汉平王升富
2022-06-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/30 申请日:20180612 授权公告日:20200922 终止日期:20210612
2020-09-22	授权	授权

共 50 条

[1]

基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P].

毛乐宝 ;

张修华 ;

文为 ;

何汉平 ;

王升富 .

中国专利 :CN110243889A ,2019-09-17

[2]

一种基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P].

毛乐宝 ;

张修华 ;

文为 ;

何汉平 ;

王升富 .

中国专利 :CN109001281B ,2018-12-14

[3]

基于氧化石墨烯的电化学传感器及其制备方法 [P].

马莉 .

中国专利 :CN104458840A ,2015-03-25

[4]

石墨烯量子点修饰的电化学传感器及其制备方法和应用 [P].

郭守武 ;

张艳 ;

吴海霞 ;

杨海军 .

中国专利 :CN102879442A ,2013-01-16

[5]

一种分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P].

杨钰昆 ;

闫文艳 ;

张锦华 ;

王小敏 ;

郭彩霞 ;

尉立刚 ;

张国华 ;

范三红 .

中国专利 :CN111272857A ,2020-06-12

[6]

一种基于MXene/硫化铋复合材料的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P].

吕海霞 ;

范德春 .

中国专利 :CN114062455B ,2024-07-05

[7]

一种基于MXene/硫化铋复合材料的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P].

吕海霞 ;

范德春 .

中国专利 :CN114062455A ,2022-02-18

[8]

光电化学传感器及其制备方法和应用 [P].

梅丽萍 ;

徐本芳 ;

宋沛 ;

王爱军 ;

冯九菊 .

中国专利 :CN118258869A ,2024-06-28

[9]

用于测量土霉素的光电化学传感器及其制备方法和应用 [P].

封科军 ;

刘丽园 ;

解芳 ;

冯颖 .

中国专利 :CN107515237A ,2017-12-26

[10]

石墨烯基毒死蜱分子印迹光电化学传感器 [P].

王珍 ;

孙强 ;

朱文军 ;

孙艳艳 ;

金党琴 .

中国专利 :CN213875521U ,2021-08-03

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