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一种基于MXene/硫化铋复合材料的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111331080.5
申请日：
2021-11-11
公开(公告)号：
CN114062455A
公开(公告)日：
2022-02-18
发明(设计)人：
吕海霞 范德春
申请人：
申请人地址：
350108 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
IPC主分类号：
G01N2730
IPC分类号：
G01N2748 G01N27416
代理机构：
福州元创专利商标代理有限公司 35100
代理人：
林文弘;蔡学俊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-03-08 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/30 申请日:20211111
2022-02-18 公开 公开
共 50 条
[1]
一种基于MXene/硫化铋复合材料的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
吕海霞 ;
范德春 .
中国专利 :CN114062455B ,2024-07-05
[2]
一种分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
杨钰昆 ;
闫文艳 ;
张锦华 ;
王小敏 ;
郭彩霞 ;
尉立刚 ;
张国华 ;
范三红 .
中国专利 :CN111272857A ,2020-06-12
[3]
一种基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法和应用 [P]. 
毛乐宝 ;
张修华 ;
文为 ;
何汉平 ;
王升富 .
中国专利 :CN109781819B ,2019-05-21
[4]
基于CNQDs@CTP纳米复合材料的分子印迹阴极光电化学传感器的制备方法及其应用 [P]. 
牛其建 ;
王婧 ;
张梦鸽 ;
汤程顺 ;
王雪婧 ;
朱一华 ;
史俊 ;
董秀秀 ;
纪冠亚 ;
刘倩 .
中国专利 :CN119985646A ,2025-05-13
[5]
基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
毛乐宝 ;
张修华 ;
文为 ;
何汉平 ;
王升富 .
中国专利 :CN110243889A ,2019-09-17
[6]
光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
梅丽萍 ;
徐本芳 ;
宋沛 ;
王爱军 ;
冯九菊 .
中国专利 :CN118258869A ,2024-06-28
[7]
基于氧化石墨烯和硫化镉量子点异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
张修华 ;
毛乐宝 ;
文为 ;
河汉平 ;
王升富 .
中国专利 :CN108828036A ,2018-11-16
[8]
对苯二酚分子印迹光电化学传感器、其制备方法和应用 [P]. 
王兰 ;
李聪 ;
秦笑梅 ;
范赵亚 ;
岳峰 ;
张宏忠 ;
金宝丹 ;
张肖静 ;
赵建国 ;
杜京京 ;
张珂 .
中国专利 :CN115343339A ,2022-11-15
[9]
对苯二酚分子印迹光电化学传感器、其制备方法和应用 [P]. 
王兰 ;
李聪 ;
秦笑梅 ;
范赵亚 ;
岳峰 ;
张宏忠 ;
金宝丹 ;
张肖静 ;
赵建国 ;
杜京京 ;
张珂 .
中国专利 :CN115343339B ,2024-11-26
[10]
一种分子印迹光电化学传感器在检测电子垃圾粉尘中TBBPA的应用 [P]. 
朱明山 ;
李志 ;
查庆兵 ;
马雪枫 .
中国专利 :CN111830094B ,2020-10-27
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