一种硼掺杂纳米金刚石薄膜及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010295654.3

申请日：

2010-09-28

公开(公告)号：

CN101956178A

公开(公告)日：

2011-01-26

发明(设计)人：

胡晓君刘会君

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区

IPC主分类号：

C23C1627

IPC分类号：

C23C1656

代理机构：

杭州天正专利事务所有限公司 33201

代理人：

黄美娟;王兵

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101449745168 IPC(主分类):C23C 16/27 专利申请号:2010102956543 公开日:20110126
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101058489946 IPC(主分类):C23C 16/27 专利申请号:2010102956543 申请日:20100928
2011-01-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

胡晓君 ;

杭鹏杰 ;

俞浩 .

中国专利 :CN105316648B ,2016-02-10

[2]

一种提高硼掺杂纳米金刚石薄膜p型导电性能的方法 [P].

胡晓君 ;

徐玲倩 .

中国专利 :CN104862663A ,2015-08-26

[3]

一种n型纳米金刚石薄膜及制备方法 [P].

胡晓君 .

中国专利 :CN101717913B ,2010-06-02

[4]

一种纳米金刚石‑石墨烯纳米带复合薄膜及制备方法 [P].

胡晓君 ;

陈成克 .

中国专利 :CN104894526B ,2015-09-09

[5]

纳米金刚石薄膜窗口的制备方法 [P].

胡广 ;

祝雪丰 ;

王林军 ;

黄健 ;

徐金勇 ;

夏义本 .

中国专利 :CN101235485A ,2008-08-06

[6]

基于类金刚石薄膜中间层的纳米金刚石薄膜制备方法 [P].

汪琳 ;

李泰然 ;

姜亦杨 ;

黄健 ;

王林军 .

中国专利 :CN109811303A ,2019-05-28

[7]

一种具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜及制备方法 [P].

胡晓君 ;

梅盈爽 .

中国专利 :CN104060237A ,2014-09-24

[8]

一种硼掺杂金刚石薄膜/金属复合电极及其制备方法 [P].

张妹 ;

盖志刚 ;

张丽丽 ;

周雪松 ;

郭风祥 ;

张学宇 ;

刘寿生 ;

柴旭 ;

王韶琰 ;

孙小玲 ;

曹琳 ;

陈志刚 .

中国专利 :CN119372620A ,2025-01-28

[9]

一种单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

胡晓君 ;

仰宗春 .

中国专利 :CN104762607B ,2015-07-08

[10]

一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法 [P].

汪爱英 ;

周凯 ;

张栋 ;

邹友生 ;

郭鹏 ;

柯培玲 .

中国专利 :CN103572237B ,2014-02-12

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