鳍形半导体器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610947343.8
申请日
2016-10-26
公开(公告)号
CN106449413B
公开(公告)日
2017-02-22
发明(设计)人
黄秋铭
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2978
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
智云
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
全包围栅极鳍形半导体器件制备方法 [P]. 
黄秋铭 .
中国专利 :CN104979216A ,2015-10-14
[2]
悬空栅极鳍形半导体器件制备方法 [P]. 
黄秋铭 .
中国专利 :CN105047701A ,2015-11-11
[3]
一种全包围栅极鳍形半导体器件的制备方法 [P]. 
黄秋铭 .
中国专利 :CN106783615A ,2017-05-31
[4]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
孙玉乐 .
中国专利 :CN114334833A ,2022-04-12
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
孙玉乐 .
中国专利 :CN114334833B ,2024-07-02
[6]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
陈肯利 .
中国专利 :CN120152365A ,2025-06-13
[7]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
陈世杰 ;
黄晓橹 .
中国专利 :CN107768393A ,2018-03-06
[8]
鳍片式半导体器件及其制造方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN106486377A ,2017-03-08
[9]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
平延磊 ;
李剑波 .
中国专利 :CN104851777A ,2015-08-19
[10]
一种FinFET半导体器件及其制备方法 [P]. 
黄秋铭 .
中国专利 :CN105226098B ,2016-01-06