半导体器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710986571.0
申请日
2017-10-20
公开(公告)号
CN107768393A
公开(公告)日
2018-03-06
发明(设计)人
陈世杰 黄晓橹
申请人
申请人地址
223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
IPC主分类号
H01L27146
IPC分类号
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
余明伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
梁启超 ;
蔡彬 ;
章晶 ;
黄冠群 .
中国专利 :CN112002644A ,2020-11-27
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
井上真雄 .
中国专利 :CN109786449A ,2019-05-21
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
张海洋 ;
韩秋华 ;
杜珊珊 ;
韩宝东 .
中国专利 :CN101197285A ,2008-06-11
[4]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN111223860A ,2020-06-02
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
吴公一 ;
陆勇 ;
辛欣 .
中国专利 :CN114373718A ,2022-04-19
[6]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
刘念 ;
蒲海军 ;
孟令成 .
中国专利 :CN108269730B ,2018-07-10
[7]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
吴公一 ;
陆勇 ;
辛欣 .
中国专利 :CN114373718B ,2024-10-29
[8]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN111223860B ,2024-05-21
[9]
鳍形半导体器件及其制备方法 [P]. 
黄秋铭 .
中国专利 :CN106449413B ,2017-02-22
[10]
半导体器件 [P]. 
王彦哲 .
中国专利 :CN114512492A ,2022-05-17