一种半导体器件的导通孔结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201611152903.7
申请日
2016-12-14
公开(公告)号
CN106783797A
公开(公告)日
2017-05-31
发明(设计)人
张文奇 戴风伟 李明 张俊红 高兰雅
申请人
申请人地址
214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
IPC主分类号
H01L23522
IPC分类号
H01L23535
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
张海英;林波
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体器件的导通孔结构的制作方法 [P]. 
张文奇 ;
戴风伟 ;
李明 ;
张俊红 ;
高兰雅 .
中国专利 :CN106505032A ,2017-03-15
[2]
半导体器件后段通孔的制造方法 [P]. 
李建茹 ;
宋铭峰 ;
张水友 .
中国专利 :CN101308791A ,2008-11-19
[3]
具有N通孔电极的半导体器件结构 [P]. 
郝茂盛 ;
张楠 ;
袁根如 .
中国专利 :CN108023003A ,2018-05-11
[4]
延伸的通孔半导体结构、器件和方法 [P]. 
林宏勋 ;
许哲志 ;
黄文助 ;
苏劲宇 ;
陈彦羽 ;
华伟君 ;
洪文瀚 .
中国专利 :CN113451510B ,2025-11-04
[5]
具有半导体通孔的半导体器件 [P]. 
A.P.迈泽尔 ;
M.聪德尔 .
中国专利 :CN103022132A ,2013-04-03
[6]
形成半导体器件通孔的方法 [P]. 
赵景洙 .
中国专利 :CN1142123A ,1997-02-05
[7]
半导体器件的通孔刻蚀方法 [P]. 
贾德公 ;
孙帅 ;
丁超 .
中国专利 :CN119480635A ,2025-02-18
[8]
通孔结构的制备方法、通孔结构和半导体器件 [P]. 
林豫立 .
中国专利 :CN113053807A ,2021-06-29
[9]
具有衬底通孔的半导体器件和制造具有衬底通孔的半导体器件的方法 [P]. 
伯恩哈德·勒夫勒 ;
托马斯·博德纳 ;
耶格·西格特 .
中国专利 :CN113474877A ,2021-10-01
[10]
具有衬底通孔的半导体器件和制造具有衬底通孔的半导体器件的方法 [P]. 
伯恩哈德·勒夫勒 ;
托马斯·博德纳 ;
耶格·西格特 .
:CN113474877B ,2024-08-02