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半导体器件的通孔刻蚀方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411563435.7
申请日：
2024-11-04
公开(公告)号：
CN119480635A
公开(公告)日：
2025-02-18
发明(设计)人：
贾德公
孙帅
丁超
申请人：
江苏卓胜微电子股份有限公司
申请人地址：
214026 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层
IPC主分类号：
H01L21/311
IPC分类号：
H01L21/768
代理机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人：
王广扬
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省
无锡市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-03-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20241104 |
| 2025-02-18 | 公开 | 公开 |