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通孔及半导体器件的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511394643.3
申请日：
2025-09-28
公开(公告)号：
CN120878637A
公开(公告)日：
2025-10-31
发明(设计)人：
赵志豪
李海峰
沈俊明
申请人：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址：
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L21/027
G03F7/00
代理机构：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222
代理人：
杨宏伟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
天津市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-11-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20250928 |
| 2025-10-31 | 公开 | 公开 |
| 2025-12-12 | 授权 | 授权 |