半导体器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210056188.6

申请日：

2022-01-18

公开(公告)号：

CN114420645A

公开(公告)日：

2022-04-29

发明(设计)人：

李乐周俊王岩

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L2712 H01L2978

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN102034865A ,2011-04-27

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

西田彰男 ;

舟山幸太 .

中国专利 :CN104218037A ,2014-12-17

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨旭锋 ;

冯远皓 ;

徐瑞璋 ;

鲁林芝 ;

朱奎 .

中国专利 :CN120035183A ,2025-05-23

[4]

横向SOI半导体器件及其制造方法 [P].

泷雅人 ;

川上昌宏 ;

早川清春 ;

石子雅康 .

中国专利 :CN101375402A ,2009-02-25

[5]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

内田慎一 ;

藏本贵文 ;

中柴康隆 .

中国专利 :CN108242443B ,2018-07-03

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

房育涛 ;

刘庭 ;

付汝起 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115498020A ,2022-12-20

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN113421869B ,2021-09-21

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111106163A ,2020-05-05

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 ;

高木信一 ;

杉山直治 .

中国专利 :CN100517759C ,2007-08-22

← 1 2 3 4 5 →