一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610226101.X
申请日
2016-04-13
公开(公告)号
CN106009008A
公开(公告)日
2016-10-12
发明(设计)人
王超 吴小杰
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市长丰县双墩镇谷河路北安徽超华机电公司东
IPC主分类号
C08J518
IPC分类号
C08L7908 C08G7310
代理机构
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240
代理人
王桂名
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
引用
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共 50 条
[1]
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
周浪 ;
赵子刚 ;
陈玉净 .
中国专利 :CN109096758A ,2018-12-28
[2]
低介电常数聚酰亚胺及其制备方法 [P]. 
宋艳江 ;
刘顺祯 .
中国专利 :CN104530703A ,2015-04-22
[3]
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
李璐 ;
柏栋宇 ;
李科 ;
李颖 ;
程江 .
中国专利 :CN110358134A ,2019-10-22
[4]
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
惠振京 ;
石亚东 .
中国专利 :CN112679954A ,2021-04-20
[5]
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
李科 ;
黄丙亮 ;
彭明云 ;
王龙 .
中国专利 :CN112679770B ,2021-04-20
[6]
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
汪英 ;
任小龙 ;
周福龙 ;
王汝柯 ;
李耀星 .
中国专利 :CN104211980B ,2014-12-17
[7]
一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
闵永刚 ;
余文涛 ;
廖松义 ;
刘屹东 ;
谭婉仪 ;
朋小康 .
中国专利 :CN112210101A ,2021-01-12
[8]
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
马文石 ;
邱国荣 ;
张志琳 ;
焦元启 .
中国专利 :CN108794748A ,2018-11-13
[9]
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
庄方东 ;
张鹏飞 .
中国专利 :CN119775572A ,2025-04-08
[10]
一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P]. 
庄方东 ;
张鹏飞 .
中国专利 :CN119775572B ,2025-11-11