非易失性半导体存储器器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410602466.9
申请日
2014-10-31
公开(公告)号
CN104795399A
公开(公告)日
2015-07-22
发明(设计)人
佐久间悠 佐久间究 清利正弘
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L27115
IPC分类号
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
牛南辉;杨晓光
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
非易失性半导体存储器 [P]. 
渡边浩志 .
中国专利 :CN101127367A ,2008-02-20
[2]
非易失性半导体存储器、半导体器件和非易失性半导体存储器的制造方法 [P]. 
三谷祐一郎 ;
松下大介 ;
大场龙二 ;
上冈功 ;
小泽良夫 .
中国专利 :CN1905213A ,2007-01-31
[3]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
石丸哲也 ;
岛本泰洋 ;
安井感 .
中国专利 :CN101290800B ,2008-10-22
[4]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
山崎忠行 ;
林泰伸 ;
清水吾朗 .
中国专利 :CN114175277A ,2022-03-11
[5]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
远藤诚一 ;
石井元治 .
中国专利 :CN1577868A ,2005-02-09
[6]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
木下敦宽 ;
白田理一郎 ;
渡边浩志 ;
室冈贤一 ;
古贺淳二 .
中国专利 :CN101431081A ,2009-05-13
[7]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
野口充宏 .
中国专利 :CN101009290A ,2007-08-01
[8]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
木下敦宽 ;
白田理一郎 ;
渡边浩志 ;
室冈贤一 ;
古贺淳二 .
中国专利 :CN101431080A ,2009-05-13
[9]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
木下胜治 ;
寺尾元康 ;
松冈秀行 ;
屉子佳孝 ;
木村嘉伸 ;
岛明生 ;
田井光春 ;
高浦则克 .
中国专利 :CN101436606A ,2009-05-20
[10]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
木下敦宽 ;
白田理一郎 ;
渡边浩志 ;
室冈贤一 ;
古贺淳二 .
中国专利 :CN101431079A ,2009-05-13