非易失性半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810178673.0

申请日：

2007-02-01

公开(公告)号：

CN101431080A

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

木下敦宽白田理一郎渡边浩志室冈贤一古贺淳二

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L23522 H01L218247 H01L21768

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

郭放

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101058457455 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2008101786730 公开日:20090513
2009-05-13	公开	公开
2009-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储器件 [P].

木下敦宽 ;

白田理一郎 ;

渡边浩志 ;

室冈贤一 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN101431081A ,2009-05-13

[2]

非易失性半导体存储器件 [P].

木下敦宽 ;

白田理一郎 ;

渡边浩志 ;

室冈贤一 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN101431079A ,2009-05-13

[3]

非易失性半导体存储器件 [P].

石丸哲也 ;

岛本泰洋 ;

安井感 .

中国专利 :CN101290800B ,2008-10-22

[4]

非易失性半导体存储器件 [P].

山崎忠行 ;

林泰伸 ;

清水吾朗 .

中国专利 :CN114175277A ,2022-03-11

[5]

非易失性半导体存储器件 [P].

野口充宏 .

中国专利 :CN101009290A ,2007-08-01

[6]

非易失性半导体存储器件 [P].

奈良明子 ;

小池正浩 ;

三谷祐一郎 .

中国专利 :CN100379002C ,2005-12-28

[7]

非易失性半导体存储器件 [P].

安田直树 .

中国专利 :CN101399291B ,2009-04-01

[8]

非易失性半导体存储器件 [P].

石丸哲也 ;

久本大 ;

安井感 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN1677675A ,2005-10-05

[9]

非易失性半导体存储器件 [P].

安田直树 .

中国专利 :CN103646962B ,2014-03-19

[10]

非易失性半导体存储器件 [P].

菊地祥子 ;

高岛章 ;

安田直树 ;

村冈浩一 .

中国专利 :CN101330108A ,2008-12-24

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