半导体器件和制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510883219.5

申请日：

2015-12-03

公开(公告)号：

CN105679757A

公开(公告)日：

2016-06-15

发明(设计)人：

刘庭均李廷骁

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L218234

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

屈玉华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-15	公开	公开
2018-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20151203
2020-12-15	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金辰寿 ;

林昌文 .

中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22

[2]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

朴辰哲 .

中国专利 :CN103633126A ,2014-03-12

[3]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金尊秀 ;

吴重席 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN120784238A ,2025-10-14

[4]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

李珍雨 ;

朴世韩 ;

金秀泰 ;

钱钰博 .

韩国专利 :CN120834126A ,2025-10-24

[5]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[6]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

姜埈求 ;

姜相列 ;

金润洙 ;

李珍秀 ;

丁炯硕 ;

曹圭镐 .

中国专利 :CN110504219A ,2019-11-26

[7]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金圭镇 ;

金熙中 ;

金俊秀 ;

李相昊 ;

赵在奂 ;

黄有商 .

中国专利 :CN112186038A ,2021-01-05

[8]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

孔俊秀 ;

郑元哲 ;

金庚浩 ;

林旺燮 ;

郑荣采 ;

郑周燮 ;

崔圭峰 ;

金曙正 ;

柳太贤 ;

朴炼皓 ;

李晋硕 .

韩国专利 :CN120786945A ,2025-10-14

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金成玟 .

韩国专利 :CN118693043A ,2024-09-24

[10]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

宋寅铉 ;

金钟守 ;

姜明吉 ;

权五成 ;

梁正吉 ;

吕寅虎 ;

郑银国 .

韩国专利 :CN120435047A ,2025-08-05

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