半导体器件和制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510390201.5

申请日：

2025-03-31

公开(公告)号：

CN120784238A

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

金尊秀吴重席徐康一

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L23/528

IPC分类号：

H01L23/532 H01L21/768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

程丹辰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

姜德昇 ;

权相德 ;

金奇范 .

韩国专利 :CN118841404A ,2024-10-25

[2]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金辰寿 ;

林昌文 .

中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22

[3]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

朴辰哲 .

中国专利 :CN103633126A ,2014-03-12

[4]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

李珍雨 ;

朴世韩 ;

金秀泰 ;

钱钰博 .

韩国专利 :CN120834126A ,2025-10-24

[5]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[6]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

姜埈求 ;

姜相列 ;

金润洙 ;

李珍秀 ;

丁炯硕 ;

曹圭镐 .

中国专利 :CN110504219A ,2019-11-26

[7]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

刘庭均 ;

李廷骁 .

中国专利 :CN105679757A ,2016-06-15

[8]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金圭镇 ;

金熙中 ;

金俊秀 ;

李相昊 ;

赵在奂 ;

黄有商 .

中国专利 :CN112186038A ,2021-01-05

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

孔俊秀 ;

郑元哲 ;

金庚浩 ;

林旺燮 ;

郑荣采 ;

郑周燮 ;

崔圭峰 ;

金曙正 ;

柳太贤 ;

朴炼皓 ;

李晋硕 .

韩国专利 :CN120786945A ,2025-10-14

[10]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金成玟 .

韩国专利 :CN118693043A ,2024-09-24

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