半导体器件和用于制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311458419.7

申请日：

2023-11-02

公开(公告)号：

CN118841404A

公开(公告)日：

2024-10-25

发明(设计)人：

姜德昇权相德金奇范

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L23/64

IPC分类号：

H01L23/528 H01L23/522 H01L21/768 H10N97/00

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周祺;倪斌

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

丸山友美 .

中国专利 :CN103359678A ,2013-10-23

[2]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[3]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

广濑雅史 ;

松浦仁 .

日本专利 :CN117690959A ,2024-03-12

[4]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102197490A ,2011-09-21

[5]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102386236A ,2012-03-21

[6]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

小山正人 ;

西山彰 ;

土屋义规 ;

市原玲华 .

中国专利 :CN1828902A ,2006-09-06

[7]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102509736A ,2012-06-20

[8]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

V.卡波迪西 ;

M.丁克尔 ;

U.施马尔茨鲍尔 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN103985709B ,2014-08-13

[9]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

增田健良 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103748688A ,2014-04-23

[10]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽尔 ;

M.佩尔茨尔 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103794649B ,2014-05-14

← 1 2 3 4 5 →