半导体器件和用于制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310101438.4

申请日：

2013-03-27

公开(公告)号：

CN103359678A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

丸山友美

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

B81B700

IPC分类号：

B81C100 B81C300

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

张伟;王英

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747367136 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013101014384 申请公布日:20131023
2013-10-23	公开	公开
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542127578 IPC(主分类):B81B 7/00 专利申请号:2013101014384 申请日:20130327

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

姜德昇 ;

权相德 ;

金奇范 .

韩国专利 :CN118841404A ,2024-10-25

[2]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN100448008C ,2006-08-16

[3]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金辰寿 ;

林昌文 .

中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22

[4]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[5]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[6]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

井上尚也 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103178048B ,2013-06-26

[7]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

广濑雅史 ;

松浦仁 .

日本专利 :CN117690959A ,2024-03-12

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN110246845B ,2024-06-21

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

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