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半导体器件和制造该半导体器件的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311103373.7
申请日：
2023-08-30
公开(公告)号：
CN117690959A
公开(公告)日：
2024-03-12
发明(设计)人：
广濑雅史
松浦仁
申请人：
瑞萨电子株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L29/739
IPC分类号：
H01L21/331
H01L29/423
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
姚宗妮
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-12 | 公开 | 公开 |
| 2025-06-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20230830 |