半导体器件和制造该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210331177.0

申请日：

2012-09-07

公开(公告)号：

CN103000667B

公开(公告)日：

2013-03-27

发明(设计)人：

汉斯-彼得·费尔斯尔弗朗茨·赫尔莱尔安东·毛德汉斯-约阿希姆·舒尔茨

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29861 H01L2706 H01L21329 H01L218222

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-27	公开	公开
2015-11-18	授权	授权
2013-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101444325764 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012103311770 申请日:20120907

共 50 条

[1]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金辰寿 ;

林昌文 .

中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22

[2]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

朴辰哲 .

中国专利 :CN103633126A ,2014-03-12

[3]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[4]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[5]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

井上尚也 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103178048B ,2013-06-26

[6]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

广濑雅史 ;

松浦仁 .

日本专利 :CN117690959A ,2024-03-12

[7]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

李东烈 .

中国专利 :CN103633041A ,2014-03-12

[8]

半导体器件和该半导体器件的制造方法 [P].

田边学 ;

藤本博昭 .

中国专利 :CN101364578A ,2009-02-11

[9]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

姜德昇 ;

权相德 ;

金奇范 .

韩国专利 :CN118841404A ,2024-10-25

[10]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102197490A ,2011-09-21

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