半导体器件和该半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810131295.0

申请日：

2008-08-06

公开(公告)号：

CN101364578A

公开(公告)日：

2009-02-11

发明(设计)人：

田边学藤本博昭

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L23485 H01L2349 H01L2160

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

张鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-11	公开	公开
2011-04-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101082677091 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2008101312950 公开日:20090211

共 50 条

[1]

半导体衬底和半导体器件以及该半导体器件的制造方法 [P].

隈川隆博 .

中国专利 :CN101071790A ,2007-11-14

[2]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金辰寿 ;

林昌文 .

中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22

[3]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

朴辰哲 .

中国专利 :CN103633126A ,2014-03-12

[4]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[5]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

汉斯-彼得·费尔斯尔 ;

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

安东·毛德 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 .

中国专利 :CN103000667B ,2013-03-27

[6]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[7]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

井上尚也 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103178048B ,2013-06-26

[8]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

广濑雅史 ;

松浦仁 .

日本专利 :CN117690959A ,2024-03-12

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

李东烈 .

中国专利 :CN103633041A ,2014-03-12

[10]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

大隅贵寿 .

中国专利 :CN1945821A ,2007-04-11

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