一种采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510047295.2

申请日：

2015-01-30

公开(公告)号：

CN104629765A

公开(公告)日：

2015-05-20

发明(设计)人：

李春亮刘小慧

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区宾水西道391号

IPC主分类号：

C09K1188

IPC分类号：

C09K1170 C09K1102

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

刘书元

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101613555674 IPC(主分类):C09K 11/88 专利申请号:2015100472952 申请日:20150130
2017-02-22	授权	授权
2015-05-20	公开	公开
2022-01-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09K 11/88 申请日:20150130 授权公告日:20170222 终止日期:20210130

共 50 条

[1]

一种采用疏水性半导体量子点制成荧光凝胶玻璃的方法 [P].

李春亮 ;

刘小慧 .

中国专利 :CN104371732A ,2015-02-25

[2]

硅烷包裹Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的方法 [P].

宋振伟 ;

张建成 ;

沈悦 ;

陈丽霞 ;

尤陈霞 ;

颜浩 ;

俞本伟 .

中国专利 :CN101215467B ,2008-07-09

[3]

一种荧光半导体量子点的制备方法 [P].

陈苏 ;

佘兴金 ;

凌露霆 ;

党辉 .

中国专利 :CN106281328A ,2017-01-04

[4]

一种基于半导体量子点的水性荧光防伪油墨及其制备方法及用途 [P].

李春亮 ;

韩靖 ;

杜金鹏 .

中国专利 :CN106700733A ,2017-05-24

[5]

含镉荧光半导体量子点的制备方法 [P].

朱明强 ;

刘金华 ;

樊俊兵 ;

徐晓波 .

中国专利 :CN101245247B ,2008-08-20

[6]

硫化镉半导体量子点的制备方法 [P].

陈淼 ;

娄文静 ;

王晓波 .

中国专利 :CN1986726A ,2007-06-27

[7]

一种半导体量子点结构 [P].

刘胜威 ;

杨婷 ;

袁昌峰 .

中国专利 :CN222839235U ,2025-05-06

[8]

大面积制备半导体量子点的方法 [P].

莫晓亮 ;

陈国荣 ;

郑凯波 .

中国专利 :CN103489962B ,2014-01-01

[9]

一种有序半导体量子点制备方法及装置 [P].

石震武 ;

庄思怡 ;

彭长四 ;

杨新宁 ;

缪力力 ;

耿彪 ;

祁秋月 .

中国专利 :CN114743864A ,2022-07-12

[10]

一种印痕显现和提取用半导体量子点荧光试剂的制备方法 [P].

张军 ;

高峰 ;

韩家兴 ;

李群 ;

李倩 ;

孙秀峰 ;

郑金成 ;

李昕 ;

包丽茹 .

中国专利 :CN101906302B ,2010-12-08

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