硅烷包裹Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810032389.2

申请日：

2008-01-08

公开(公告)号：

CN101215467B

公开(公告)日：

2008-07-09

发明(设计)人：

宋振伟张建成沈悦陈丽霞尤陈霞颜浩俞本伟

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C09K1102

IPC分类号：

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

何文欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-10-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101663252981 IPC(主分类):C09K 11/02 专利号:ZL2008100323892 变更事项:专利权人变更前权利人:上海大学变更后权利人:江苏天成生化制品有限公司变更事项:地址变更前权利人:200444 上海市宝山区上大路99号变更后权利人:226600 江苏省南通市海安县海安开发区精细化工园登记生效日:20130909
2010-06-02	授权	授权
2008-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法 [P].

李春亮 ;

刘小慧 .

中国专利 :CN104629765A ,2015-05-20

[2]

硫化镉半导体量子点的制备方法 [P].

陈淼 ;

娄文静 ;

王晓波 .

中国专利 :CN1986726A ,2007-06-27

[3]

一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法 [P].

杨琴 ;

唐政 ;

孙放 .

中国专利 :CN102167977A ,2011-08-31

[4]

大面积制备半导体量子点的方法 [P].

莫晓亮 ;

陈国荣 ;

郑凯波 .

中国专利 :CN103489962B ,2014-01-01

[5]

含镉荧光半导体量子点的制备方法 [P].

朱明强 ;

刘金华 ;

樊俊兵 ;

徐晓波 .

中国专利 :CN101245247B ,2008-08-20

[6]

II－VI族荧光标识半导体量子点MX的制备方法 [P].

张建成 ;

刘国勇 ;

聂波 ;

沈悦 ;

戴宁 .

中国专利 :CN1328351C ,2006-03-08

[7]

一种半导体量子点结构 [P].

刘胜威 ;

杨婷 ;

袁昌峰 .

中国专利 :CN222839235U ,2025-05-06

[8]

巯基单或多元有机酸表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其制备方法 [P].

俞本伟 ;

沈悦 ;

张建成 ;

颜浩 .

中国专利 :CN101508416A ,2009-08-19

[9]

半导体量子点平衡组份的计算方法 [P].

王东林 ;

周帅 ;

俞重远 ;

刘玉敏 ;

叶寒 ;

赵龙 ;

芦鹏飞 ;

韩利红 .

中国专利 :CN103198167A ,2013-07-10

[10]

低温溶剂法制备半导体量子点材料的方法 [P].

贺蓉 ;

古宏晨 .

中国专利 :CN1553476A ,2004-12-08

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