巯基单或多元有机酸表面修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910047358.9

申请日：

2009-03-11

公开(公告)号：

CN101508416A

公开(公告)日：

2009-08-19

发明(设计)人：

俞本伟沈悦张建成颜浩

申请人：

申请人地址：

200444上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

B82B100

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙)

代理人：

陆聪明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-09-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101188304313 IPC(主分类):B82B 1/00 专利申请号:2009100473589 公开日:20090819
2009-08-19	公开	公开

共 50 条

[1]

硅烷包裹Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的方法 [P].

宋振伟 ;

张建成 ;

沈悦 ;

陈丽霞 ;

尤陈霞 ;

颜浩 ;

俞本伟 .

中国专利 :CN101215467B ,2008-07-09

[2]

硫化镉半导体量子点的制备方法 [P].

陈淼 ;

娄文静 ;

王晓波 .

中国专利 :CN1986726A ,2007-06-27

[3]

大面积制备半导体量子点的方法 [P].

莫晓亮 ;

陈国荣 ;

郑凯波 .

中国专利 :CN103489962B ,2014-01-01

[4]

含镉荧光半导体量子点的制备方法 [P].

朱明强 ;

刘金华 ;

樊俊兵 ;

徐晓波 .

中国专利 :CN101245247B ,2008-08-20

[5]

II－VI族荧光标识半导体量子点MX的制备方法 [P].

张建成 ;

刘国勇 ;

聂波 ;

沈悦 ;

戴宁 .

中国专利 :CN1328351C ,2006-03-08

[6]

低温溶剂法制备半导体量子点材料的方法 [P].

贺蓉 ;

古宏晨 .

中国专利 :CN1553476A ,2004-12-08

[7]

一种荧光半导体量子点的制备方法 [P].

陈苏 ;

佘兴金 ;

凌露霆 ;

党辉 .

中国专利 :CN106281328A ,2017-01-04

[8]

一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法 [P].

杨琴 ;

唐政 ;

孙放 .

中国专利 :CN102167977A ,2011-08-31

[9]

一种半导体量子点器件及其制备方法 [P].

宋艳鹏 ;

王桂磊 ;

王祥升 ;

王海玲 ;

赵超 .

中国专利 :CN120379314A ,2025-07-25

[10]

制备石墨烯/半导体量子点复合材料的方法 [P].

程萍 ;

蓝天 ;

余家龙 ;

王俊飞 ;

陈瑞昊 ;

郭守武 .

中国专利 :CN101913600A ,2010-12-15

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