浮地压控忆阻器仿真器电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510937478.1
申请日
2015-12-15
公开(公告)号
CN105553459A
公开(公告)日
2016-05-04
发明(设计)人
王光义 许碧荣
申请人
申请人地址
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
IPC主分类号
H03K1900
IPC分类号
G11C1300
代理机构
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100
代理人
王佳健
法律状态
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
国省代码
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共 50 条
[1]
一种浮地压控忆阻器仿真器电路 [P]. 
王光义 ;
许碧荣 .
中国专利 :CN205265656U ,2016-05-25
[2]
一种四值忆阻器仿真器 [P]. 
王光义 ;
董玉姣 ;
王晓炜 ;
应加捷 .
中国专利 :CN208705884U ,2019-04-05
[3]
一种四值忆阻器仿真器的实现电路 [P]. 
王光义 ;
董玉姣 ;
王晓炜 ;
应加捷 .
中国专利 :CN108959837B ,2024-03-01
[4]
一种四值忆阻器仿真器的实现电路 [P]. 
王光义 ;
董玉姣 ;
王晓炜 ;
应加捷 .
中国专利 :CN108959837A ,2018-12-07
[5]
忆阻器仿真器 [P]. 
王光义 ;
彭存建 ;
贺洁玲 ;
苏平 .
中国专利 :CN203219277U ,2013-09-25
[6]
对数型局部有源忆阻器仿真器 [P]. 
王光义 ;
应佳捷 ;
王晓炜 .
中国专利 :CN109086558A ,2018-12-25
[7]
对数型局部有源忆阻器仿真器 [P]. 
王光义 ;
应佳捷 ;
王晓炜 .
中国专利 :CN109086558B ,2024-06-25
[8]
二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P]. 
王君兰 ;
王光义 ;
董玉姣 ;
谷文玉 ;
李茹依 .
中国专利 :CN111950213A ,2020-11-17
[9]
二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P]. 
王君兰 ;
王光义 ;
董玉姣 ;
谷文玉 ;
李茹依 .
中国专利 :CN111950213B ,2024-03-22
[10]
一种二值局部有源忆阻器的仿真器电路 [P]. 
王君兰 ;
王光义 ;
董玉姣 ;
谷文玉 ;
李茹依 .
中国专利 :CN210691321U ,2020-06-05