势垒调制晶体管

被引：0

申请号：

CN202210757082.9

申请日：

2022-06-29

公开(公告)号：

CN115547959A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

T.哈夫达拉 D.利维 D.本-巴萨特 M.泽哈维 B.R.冈伯格

申请人：

申请人地址：

以色列赫兹立亚

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L2350 H01L23528 H01L2978 H01L21768 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈金林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

具有势垒的隧道晶体管 [P].

雷德弗里德勒·胡尔克斯 ;

普拉巴特·阿加瓦尔 .

中国专利 :CN101375380B ,2009-02-25

[2]

具有集成肖特基势垒的绝缘栅双极晶体管 [P].

陈在晨 ;

A·A·塞尔曼 ;

H·L·爱德华兹 .

中国专利 :CN114649326A ,2022-06-21

[3]

具有扩散势垒区的晶体管 [P].

B·杨 ;

X·李 ;

P·齐达姆巴兰姆 .

中国专利 :CN105981145B ,2016-09-28

[4]

用于晶体管器件中色散降低的势垒结构 [P].

郭佳 ;

凯尔·博思 ;

奥洛夫·托恩布莱德 ;

斯科特·谢泼德 .

美国专利 :CN119923723A ,2025-05-02

[5]

肖特基势垒晶体管及其制备方法 [P].

罗军 ;

毛淑娟 ;

许静 .

中国专利 :CN109671780A ,2019-04-23

[6]

肖特基势垒晶体管及其制造方法 [P].

郑又硕 ;

李诚宰 ;

张汶圭 .

中国专利 :CN1315196C ,2004-10-20

[7]

一种肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P].

黄如 ;

江文哲 ;

黄芊芊 ;

詹瞻 ;

邱颖鑫 .

中国专利 :CN102324434B ,2012-01-18

[8]

一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P].

孙雷 ;

徐浩 ;

张一博 ;

韩静文 ;

王漪 ;

张盛东 .

中国专利 :CN104241397A ,2014-12-24

[9]

具有双厚度势垒层的高电子迁移率晶体管 [P].

G.库拉托拉 ;

O.赫贝伦 .

:CN110233104B ,2025-02-25

[10]

具有双厚度势垒层的高电子迁移率晶体管 [P].

G.库拉托拉 ;

O.赫贝伦 .

中国专利 :CN110233104A ,2019-09-13

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