一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410428648.9

申请日：

2014-08-27

公开(公告)号：

CN104241397A

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L29812

IPC分类号：

H01L21338 H01L2941

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360

代理人：

朱红涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595684580 IPC(主分类):H01L 29/812 专利申请号:2014104286489 申请日:20140827
2014-12-24	公开	公开
2017-08-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756474910 IPC(主分类):H01L 29/812 专利申请号:2014104286489 申请公布日:20141224

共 50 条

[1]

一种肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P].

黄如 ;

江文哲 ;

黄芊芊 ;

詹瞻 ;

邱颖鑫 .

中国专利 :CN102324434B ,2012-01-18

[2]

肖特基势垒晶体管及其制备方法 [P].

罗军 ;

毛淑娟 ;

许静 .

中国专利 :CN109671780A ,2019-04-23

[3]

一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法 [P].

李定宇 ;

孙雷 ;

张盛东 ;

刘晓彦 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN1794469A ,2006-06-28

[4]

一种肖特基势垒晶体管及其制备方法 [P].

毛淑娟 ;

罗军 ;

许静 .

中国专利 :CN111129126B ,2020-05-08

[5]

肖特基势垒晶体管及其制造方法 [P].

郑又硕 ;

李诚宰 ;

张汶圭 .

中国专利 :CN1315196C ,2004-10-20

[6]

一种不对称肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法 [P].

孙雷 ;

李定宇 ;

张盛东 ;

吴涛 ;

韩汝琦 ;

刘晓彦 .

中国专利 :CN100448027C ,2007-05-16

[7]

一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN118738096A ,2024-10-01

[8]

一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN118738096B ,2025-09-23

[9]

肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 ;

赵维 .

中国专利 :CN117276082B ,2025-09-26

[10]

深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法 [P].

刘溪 ;

李萌萌 .

中国专利 :CN113948576A ,2022-01-18

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