一种肖特基势垒晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911302446.9

申请日：

2019-12-17

公开(公告)号：

CN111129126B

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

毛淑娟罗军许静

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2943 H01L2947 H01L2906 H01L2980 H01L2128 H01L21337

代理机构：

北京知迪知识产权代理有限公司 11628

代理人：

王胜利

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-16	授权	授权
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20191217
2020-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

肖特基势垒晶体管及其制备方法 [P].

罗军 ;

毛淑娟 ;

许静 .

中国专利 :CN109671780A ,2019-04-23

[2]

一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P].

孙雷 ;

徐浩 ;

张一博 ;

韩静文 ;

王漪 ;

张盛东 .

中国专利 :CN104241397A ,2014-12-24

[3]

一种肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P].

黄如 ;

江文哲 ;

黄芊芊 ;

詹瞻 ;

邱颖鑫 .

中国专利 :CN102324434B ,2012-01-18

[4]

肖特基势垒晶体管及其制造方法 [P].

郑又硕 ;

李诚宰 ;

张汶圭 .

中国专利 :CN1315196C ,2004-10-20

[5]

一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN118738096A ,2024-10-01

[6]

一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN118738096B ,2025-09-23

[7]

一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法 [P].

李定宇 ;

孙雷 ;

张盛东 ;

刘晓彦 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN1794469A ,2006-06-28

[8]

肖特基势垒薄膜晶体管及其制造方法 [P].

宋爱民 ;

张嘉炜 ;

J·威尔逊 .

中国专利 :CN113439341A ,2021-09-24

[9]

肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 ;

赵维 .

中国专利 :CN117276082B ,2025-09-26

[10]

深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法 [P].

刘溪 ;

李萌萌 .

中国专利 :CN113948576A ,2022-01-18

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