一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411004596.2
申请日
2024-07-25
公开(公告)号
CN118738096A
公开(公告)日
2024-10-01
发明(设计)人
李育智 龚政 邹胜晗 陈志涛
申请人
广东省科学院半导体研究所
申请人地址
510651 广东省广州市天河区长兴路363号
IPC主分类号
H01L29/06
IPC分类号
H01L21/336 H01L29/786 H01L29/47 H01L29/10
代理机构
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
杨勋
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 广州市
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
李育智 ;
龚政 ;
邹胜晗 ;
陈志涛 .
中国专利 :CN118738096B ,2025-09-23
[2]
肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板 [P]. 
李育智 ;
龚政 ;
邹胜晗 ;
陈志涛 ;
赵维 .
中国专利 :CN117276082B ,2025-09-26
[3]
一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
李育智 ;
龚政 ;
邹胜晗 ;
陈志涛 ;
赵维 .
中国专利 :CN118712066A ,2024-09-27
[4]
一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
李育智 ;
龚政 ;
邹胜晗 ;
陈志涛 ;
赵维 .
中国专利 :CN118712066B ,2025-09-23
[5]
肖特基势垒薄膜晶体管及其制造方法 [P]. 
宋爱民 ;
张嘉炜 ;
J·威尔逊 .
中国专利 :CN113439341A ,2021-09-24
[6]
肖特基薄膜晶体管及其制备方法 [P]. 
张新安 ;
徐浩璇 .
中国专利 :CN118053914A ,2024-05-17
[7]
肖特基势垒晶体管及其制备方法 [P]. 
罗军 ;
毛淑娟 ;
许静 .
中国专利 :CN109671780A ,2019-04-23
[8]
一种肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P]. 
黄如 ;
江文哲 ;
黄芊芊 ;
詹瞻 ;
邱颖鑫 .
中国专利 :CN102324434B ,2012-01-18
[9]
一种肖特基势垒晶体管及其制备方法 [P]. 
毛淑娟 ;
罗军 ;
许静 .
中国专利 :CN111129126B ,2020-05-08
[10]
一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P]. 
孙雷 ;
徐浩 ;
张一博 ;
韩静文 ;
王漪 ;
张盛东 .
中国专利 :CN104241397A ,2014-12-24