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一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411004596.2
申请日
:
2024-07-25
公开(公告)号
:
CN118738096A
公开(公告)日
:
2024-10-01
发明(设计)人
:
李育智
龚政
邹胜晗
陈志涛
申请人
:
广东省科学院半导体研究所
申请人地址
:
510651 广东省广州市天河区长兴路363号
IPC主分类号
:
H01L29/06
IPC分类号
:
H01L21/336
H01L29/786
H01L29/47
H01L29/10
代理机构
:
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
:
杨勋
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
广东省 广州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-10-22
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20240725
2025-09-23
授权
授权
2024-10-01
公开
公开
共 50 条
[1]
一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法
[P].
李育智
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
李育智
;
龚政
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
龚政
;
邹胜晗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
邹胜晗
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
陈志涛
.
中国专利
:CN118738096B
,2025-09-23
[2]
肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板
[P].
李育智
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
李育智
;
龚政
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
龚政
;
邹胜晗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
邹胜晗
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
陈志涛
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
赵维
.
中国专利
:CN117276082B
,2025-09-26
[3]
一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法
[P].
李育智
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
李育智
;
龚政
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
龚政
;
邹胜晗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
邹胜晗
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
陈志涛
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
赵维
.
中国专利
:CN118712066A
,2024-09-27
[4]
一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法
[P].
李育智
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
李育智
;
龚政
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
龚政
;
邹胜晗
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
邹胜晗
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
陈志涛
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
赵维
.
中国专利
:CN118712066B
,2025-09-23
[5]
肖特基势垒薄膜晶体管及其制造方法
[P].
宋爱民
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宋爱民
;
张嘉炜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张嘉炜
;
J·威尔逊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J·威尔逊
.
中国专利
:CN113439341A
,2021-09-24
[6]
肖特基薄膜晶体管及其制备方法
[P].
张新安
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳技术大学
深圳技术大学
张新安
;
徐浩璇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳技术大学
深圳技术大学
徐浩璇
.
中国专利
:CN118053914A
,2024-05-17
[7]
肖特基势垒晶体管及其制备方法
[P].
罗军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗军
;
毛淑娟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
毛淑娟
;
许静
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许静
.
中国专利
:CN109671780A
,2019-04-23
[8]
一种肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法
[P].
黄如
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄如
;
江文哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
江文哲
;
黄芊芊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄芊芊
;
詹瞻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
詹瞻
;
邱颖鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
邱颖鑫
.
中国专利
:CN102324434B
,2012-01-18
[9]
一种肖特基势垒晶体管及其制备方法
[P].
毛淑娟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
毛淑娟
;
罗军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗军
;
许静
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许静
.
中国专利
:CN111129126B
,2020-05-08
[10]
一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法
[P].
孙雷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙雷
;
徐浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐浩
;
张一博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张一博
;
韩静文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
韩静文
;
王漪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王漪
;
张盛东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张盛东
.
中国专利
:CN104241397A
,2014-12-24
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