肖特基势垒薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980084910.3

申请日：

2019-12-20

公开(公告)号：

CN113439341A

公开(公告)日：

2021-09-24

发明(设计)人：

宋爱民张嘉炜 J·威尔逊

申请人：

申请人地址：

英国曼彻斯特

IPC主分类号：

H01L2966

IPC分类号：

H01L29739 H01L2978 H01L29786

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

赵学超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	公开	公开
2021-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/66 申请日:20191220

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

申铉亿 .

中国专利 :CN1967877A ,2007-05-23

[2]

肖特基势垒晶体管及其制造方法 [P].

郑又硕 ;

李诚宰 ;

张汶圭 .

中国专利 :CN1315196C ,2004-10-20

[3]

肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 ;

赵维 .

中国专利 :CN117276082B ,2025-09-26

[4]

一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN118738096A ,2024-10-01

[5]

一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN118738096B ,2025-09-23

[6]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

朴美暻 ;

蔡基成 .

中国专利 :CN1992349A ,2007-07-04

[7]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

森田达夫 ;

罗伯特·J·马库纳斯 .

中国专利 :CN1136223A ,1996-11-20

[8]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李俊 ;

周帆 ;

林华平 ;

张建华 ;

蒋雪茵 ;

张志林 .

中国专利 :CN103165660A ,2013-06-19

[9]

肖特基薄膜晶体管及其制备方法 [P].

张新安 ;

徐浩璇 .

中国专利 :CN118053914A ,2024-05-17

[10]

一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 ;

赵维 .

中国专利 :CN118712066A ,2024-09-27

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