深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111132919.2

申请日：

2021-09-27

公开(公告)号：

CN113948576A

公开(公告)日：

2022-01-18

发明(设计)人：

刘溪李萌萌

申请人：

申请人地址：

110870 辽宁省沈阳市铁西区经济技术开发区沈辽西路111号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115

代理人：

宋铁军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-18	公开	公开
2022-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210927

共 50 条

[1]

肖特基势垒晶体管及其制造方法 [P].

郑又硕 ;

李诚宰 ;

张汶圭 .

中国专利 :CN1315196C ,2004-10-20

[2]

肖特基势垒晶体管及其制备方法 [P].

罗军 ;

毛淑娟 ;

许静 .

中国专利 :CN109671780A ,2019-04-23

[3]

肖特基势垒薄膜晶体管及其制造方法 [P].

宋爱民 ;

张嘉炜 ;

J·威尔逊 .

中国专利 :CN113439341A ,2021-09-24

[4]

一种肖特基势垒晶体管及其制备方法 [P].

毛淑娟 ;

罗军 ;

许静 .

中国专利 :CN111129126B ,2020-05-08

[5]

一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P].

孙雷 ;

徐浩 ;

张一博 ;

韩静文 ;

王漪 ;

张盛东 .

中国专利 :CN104241397A ,2014-12-24

[6]

一种肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P].

黄如 ;

江文哲 ;

黄芊芊 ;

詹瞻 ;

邱颖鑫 .

中国专利 :CN102324434B ,2012-01-18

[7]

肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 ;

赵维 .

中国专利 :CN117276082B ,2025-09-26

[8]

一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法 [P].

李定宇 ;

孙雷 ;

张盛东 ;

刘晓彦 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN1794469A ,2006-06-28

[9]

一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN118738096A ,2024-10-01

[10]

一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李育智 ;

龚政 ;

邹胜晗 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN118738096B ,2025-09-23

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