一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510130001.9

申请日：

2005-12-08

公开(公告)号：

CN1794469A

公开(公告)日：

2006-06-28

发明(设计)人：

李定宇孙雷张盛东刘晓彦韩汝琦

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L29812

IPC分类号：

H01L21338

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

余功勋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-06-28	公开	公开
2011-03-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101072682001 IPC(主分类):H01L 29/812 专利号:ZL2005101300019 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:北京大学登记生效日:20110120
2008-05-21	授权	授权
2006-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种不对称肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法 [P].

孙雷 ;

李定宇 ;

张盛东 ;

吴涛 ;

韩汝琦 ;

刘晓彦 .

中国专利 :CN100448027C ,2007-05-16

[2]

一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P].

孙雷 ;

徐浩 ;

张一博 ;

韩静文 ;

王漪 ;

张盛东 .

中国专利 :CN104241397A ,2014-12-24

[3]

一种肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法 [P].

黄如 ;

江文哲 ;

黄芊芊 ;

詹瞻 ;

邱颖鑫 .

中国专利 :CN102324434B ,2012-01-18

[4]

肖特基势垒晶体管及其制备方法 [P].

罗军 ;

毛淑娟 ;

许静 .

中国专利 :CN109671780A ,2019-04-23

[5]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102446763A ,2012-05-09

[6]

肖特基势垒晶体管及其制造方法 [P].

郑又硕 ;

李诚宰 ;

张汶圭 .

中国专利 :CN1315196C ,2004-10-20

[7]

一种肖特基势垒晶体管及其制备方法 [P].

毛淑娟 ;

罗军 ;

许静 .

中国专利 :CN111129126B ,2020-05-08

[8]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

于伟泽 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102544095B ,2012-07-04

[9]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

王文博 .

中国专利 :CN105990142A ,2016-10-05

[10]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101740513B ,2010-06-16

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