碳化硅晶体炉坩埚升降控制系统及控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410764361.3

申请日：

2014-12-11

公开(公告)号：

CN104451884A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

段聪赵梅玉巴音图

申请人：

申请人地址：

071051 河北省保定市二环路5699号大学科技园6号楼B座四楼A007室

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B1100 B66C1326

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

韩敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	公开	公开
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607388124 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2014107643613 申请日:20141211
2018-02-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B66C 13/22 申请公布日:20150325

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长炉控制系统 [P].

黄鸣 ;

丁文革 ;

谭三成 .

中国专利 :CN102912443B ,2013-02-06

[2]

一种碳化硅晶体炉坩埚升降装置及控制方法 [P].

李再兴 ;

李端科 ;

李浩毅 .

中国专利 :CN119041029A ,2024-11-29

[3]

用于碳化硅晶体生长的坩埚、生长控制系统、控制方法 [P].

黄立文 ;

王增泽 ;

刘冬冬 ;

杨帅 ;

井琳 ;

张皓 ;

叶欣怡 ;

刘振洲 ;

张玮 ;

鲍慧强 .

中国专利 :CN117488397A ,2024-02-02

[4]

碳化硅晶体生长速度的控制系统及控制方法、长晶炉 [P].

李兆颖 ;

吴亚娟 ;

陈俊宏 ;

周来平 .

中国专利 :CN115142133A ,2022-10-04

[5]

一种碳化硅长晶炉生产设备的控制方法及控制系统 [P].

王大伟 ;

宗艳民 ;

曲光军 ;

赵爱梅 ;

王雅儒 .

中国专利 :CN110552062A ,2019-12-10

[6]

碳化硅单晶生长炉的压力控制系统 [P].

黄鸣 ;

丁文革 .

中国专利 :CN202705569U ,2013-01-30

[7]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[8]

一种HTCVD法碳化硅晶体生长控制系统及方法 [P].

刘欣宇 ;

袁振洲 .

中国专利 :CN113502542A ,2021-10-15

[9]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

[10]

碳化硅晶体的制造方法、碳化硅晶体及碳化硅晶体的制造装置 [P].

西口太郎 .

中国专利 :CN102471930A ,2012-05-23

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