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一种HTCVD法碳化硅晶体生长控制系统及方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111059835.0
申请日：
2021-09-10
公开(公告)号：
CN113502542A
公开(公告)日：
2021-10-15
发明(设计)人：
刘欣宇 袁振洲
申请人：
申请人地址：
225000 江苏省南京市江北新区中国(江苏)自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2189室
IPC主分类号：
C30B2936
IPC分类号：
C30B2500
代理机构：
南京源点知识产权代理有限公司 32545
代理人：
罗超;黄启兵
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-10-15 公开 公开
2021-11-02 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210910
共 50 条
[1]
HTCVD法碳化硅晶体生长装置 [P]. 
刘兴昉 ;
董林 ;
郑柳 ;
闫果果 ;
王雷 ;
赵万顺 ;
孙国胜 ;
曾一平 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN102304698A ,2012-01-04
[2]
一种HTCVD法碳化硅晶体生长方法 [P]. 
何少龙 ;
丁柳宁 .
中国专利 :CN118223116A ,2024-06-21
[3]
连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 [P]. 
刘兴昉 ;
郑柳 ;
董林 ;
闫果果 ;
王雷 ;
赵万顺 ;
孙国胜 ;
曾一平 ;
李晋闽 .
中国专利 :CN102304763A ,2012-01-04
[4]
碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P]. 
侯磊 .
中国专利 :CN120401012A ,2025-08-01
[5]
碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P]. 
侯磊 .
中国专利 :CN120465104A ,2025-08-12
[6]
用于碳化硅晶体生长的坩埚、生长控制系统、控制方法 [P]. 
黄立文 ;
王增泽 ;
刘冬冬 ;
杨帅 ;
井琳 ;
张皓 ;
叶欣怡 ;
刘振洲 ;
张玮 ;
鲍慧强 .
中国专利 :CN117488397A ,2024-02-02
[7]
碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P]. 
刘曦 .
中国专利 :CN116815320B ,2024-01-12
[8]
碳化硅晶体生长炉控制系统 [P]. 
黄鸣 ;
丁文革 ;
谭三成 .
中国专利 :CN102912443B ,2013-02-06
[9]
碳化硅晶体生长用石墨组件及碳化硅晶体生长装置 [P]. 
钱昊 ;
梁刚强 ;
苏奕霖 ;
李强 ;
杨倩倩 .
中国专利 :CN220433065U ,2024-02-02
[10]
碳化硅晶体生长装置及系统 [P]. 
周荣国 ;
邹路 ;
刘鹏 .
中国专利 :CN218089882U ,2022-12-20
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