HTCVD法碳化硅晶体生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110264570.8

申请日：

2011-09-08

公开(公告)号：

CN102304698A

公开(公告)日：

2012-01-04

发明(设计)人：

刘兴昉董林郑柳闫果果王雷赵万顺孙国胜曾一平李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C23C1632

IPC分类号：

C30B2500 C30B2814

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-04	公开	公开
2012-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101190912729 IPC(主分类):C23C 16/32 专利申请号:2011102645708 申请日:20110908
2013-06-12	授权	授权

共 50 条

[1]

连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 [P].

刘兴昉 ;

郑柳 ;

董林 ;

闫果果 ;

王雷 ;

赵万顺 ;

孙国胜 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102304763A ,2012-01-04

[2]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[3]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[4]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

吴亚娟 .

中国专利 :CN114574968A ,2022-06-03

[5]

碳化硅晶体生长装置 [P].

秦皓然 ;

张洁 .

中国专利 :CN220812699U ,2024-04-19

[6]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

吴亚娟 .

中国专利 :CN217149391U ,2022-08-09

[7]

碳化硅晶体生长装置 [P].

燕靖 .

中国专利 :CN118704083A ,2024-09-27

[8]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 .

中国专利 :CN223481346U ,2025-10-28

[9]

碳化硅晶体生长装置 [P].

燕靖 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114108094A ,2022-03-01

[10]

碳化硅晶体生长装置 [P].

薛卫明 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN217757758U ,2022-11-08

← 1 2 3 4 5 →