嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710258268.9
申请日
2017-04-19
公开(公告)号
CN106980152B
公开(公告)日
2017-07-25
发明(设计)人
张涛 李见奇 王敬轩 王珀琥 佟成国 耿涛 王鹏飞 苑立波
申请人
申请人地址
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
IPC主分类号
G02B602
IPC分类号
C30B3302 C30B2930
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
检验铌酸锂或钽酸锂单晶质量的方法 [P]. 
李杰 .
中国专利 :CN87100213A ,1988-08-31
[2]
铌酸锂单晶、铌酸锂单晶的制造方法以及AR眼镜 [P]. 
山木亮太 ;
小见利行 .
日本专利 :CN121195093A ,2025-12-23
[3]
铌酸锂/钽酸锂单晶空腔结构的键合封装方法及其应用 [P]. 
万青 ;
胡钰晴 .
中国专利 :CN121225531A ,2025-12-30
[4]
钽酸锂单晶薄膜制备方法及其应用 [P]. 
万青 ;
胡钰晴 .
中国专利 :CN119913618A ,2025-05-02
[5]
以铌酸锂或钽酸锂单晶为栅介质的神经形态晶体管及其制备方法 [P]. 
万青 ;
陈鑫力 .
中国专利 :CN119603993A ,2025-03-11
[6]
一种掺杂单晶多芯光纤的制备方法及掺杂单晶多芯光纤 [P]. 
张涛 ;
辛一凡 ;
王敬轩 ;
佟成国 ;
李见奇 ;
耿涛 ;
王鹏飞 ;
苑立波 .
中国专利 :CN107151092B ,2017-09-12
[7]
一种钽酸锂单晶的制备方法 [P]. 
徐国忠 ;
王斌 ;
仇如成 .
中国专利 :CN105696078A ,2016-06-22
[8]
铌酸锂单晶基板的制造方法 [P]. 
梶谷富男 .
中国专利 :CN108138357A ,2018-06-08
[9]
一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法 [P]. 
胡文 .
中国专利 :CN107059128B ,2017-08-18
[10]
一种铌酸锂单晶的制备方法 [P]. 
徐国忠 ;
王斌 ;
仇如成 .
中国专利 :CN105839178A ,2016-08-10