一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611192111.2

申请日：

2016-12-21

公开(公告)号：

CN107059128B

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

胡文

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市历城区邢村立交桥东济南药谷产业园区1号楼B1806室

IPC主分类号：

C30B2930

IPC分类号：

C30B2964 C30B3302

代理机构：

山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108

代理人：

曲洋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-18	公开	公开
2019-04-16	授权	授权
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747173433 IPC(主分类):C30B 29/30 专利申请号:2016111921112 申请日:20161221

共 50 条

[1]

钽酸锂单晶薄膜制备方法及其应用 [P].

万青 ;

胡钰晴 .

中国专利 :CN119913618A ,2025-05-02

[2]

检验铌酸锂或钽酸锂单晶质量的方法 [P].

李杰 .

中国专利 :CN87100213A ,1988-08-31

[3]

铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112538610A ,2021-03-23

[4]

铌酸锂单晶薄膜及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112410885A ,2021-02-26

[5]

一种铌酸锂单晶薄膜的制备工艺 [P].

罗毅 ;

龚瑞 ;

赵建华 ;

肖立 .

中国专利 :CN118875836A ,2024-11-01

[6]

一种掺杂活性离子的铌酸锂/钽酸锂薄膜及其制备方法 [P].

胡文 ;

张秀全 ;

唐供宾 ;

刘桂银 ;

杨超 ;

侯文青 .

中国专利 :CN121062288A ,2025-12-05

[7]

周期极化的铌酸锂薄膜及其制备方法 [P].

张国权 ;

张煜晨 ;

李三兵 ;

许京军 .

中国专利 :CN119956304A ,2025-05-09

[8]

铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112540428A ,2021-03-23

[9]

铌酸锂/钽酸锂单晶空腔结构的键合封装方法及其应用 [P].

万青 ;

胡钰晴 .

中国专利 :CN121225531A ,2025-12-30

[10]

嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤 [P].

张涛 ;

李见奇 ;

王敬轩 ;

王珀琥 ;

佟成国 ;

耿涛 ;

王鹏飞 ;

苑立波 .

中国专利 :CN106980152B ,2017-07-25

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