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铌酸锂单晶薄膜及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011250278.6
申请日：
2020-11-10
公开(公告)号：
CN112410885A
公开(公告)日：
2021-02-26
发明(设计)人：
周赤 吉贵军 刘昆 张大鹏 王兴龙
申请人：
申请人地址：
519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇创新三路399号
IPC主分类号：
C30B3122
IPC分类号：
C30B2930 C30B2968 G02F1035
代理机构：
珠海智专专利商标代理有限公司 44262
代理人：
黄国豪
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-03-16 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 31/22 申请日:20201110
2021-02-26 公开 公开
共 50 条
[1]
铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法 [P]. 
周赤 ;
吉贵军 ;
刘昆 ;
张大鹏 ;
王兴龙 .
中国专利 :CN112540428A ,2021-03-23
[2]
铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法 [P]. 
周赤 ;
吉贵军 ;
刘昆 ;
张大鹏 ;
王兴龙 .
中国专利 :CN112538610A ,2021-03-23
[3]
金属离子掺杂的铌酸锂单晶薄膜、其掺杂方法及其制备方法 [P]. 
王文佳 .
中国专利 :CN120776455A ,2025-10-14
[4]
钽酸锂单晶薄膜制备方法及其应用 [P]. 
万青 ;
胡钰晴 .
中国专利 :CN119913618A ,2025-05-02
[5]
一种铌酸锂单晶薄膜的制备工艺 [P]. 
罗毅 ;
龚瑞 ;
赵建华 ;
肖立 .
中国专利 :CN118875836A ,2024-11-01
[6]
周期极化的铌酸锂薄膜及其制备方法 [P]. 
张国权 ;
张煜晨 ;
李三兵 ;
许京军 .
中国专利 :CN119956304A ,2025-05-09
[7]
铌酸锂单晶、铌酸锂单晶的制造方法以及AR眼镜 [P]. 
山木亮太 ;
小见利行 .
日本专利 :CN121195093A ,2025-12-23
[8]
铌酸锂单晶基板及其制造方法 [P]. 
梶谷富男 .
中国专利 :CN107636214B ,2018-01-26
[9]
铌酸锂单晶基板及其制造方法 [P]. 
梶谷富男 .
中国专利 :CN107636212A ,2018-01-26
[10]
一种水热法生长铌酸锂单晶薄膜或体单晶的方法 [P]. 
胡章贵 ;
周海涛 ;
王梦霞 .
中国专利 :CN112064117A ,2020-12-11
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