周期极化的铌酸锂薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411933518.0

申请日：

2024-12-26

公开(公告)号：

CN119956304A

公开(公告)日：

2025-05-09

发明(设计)人：

张国权张煜晨李三兵许京军

申请人：

南开大学

申请人地址：

300071 天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

G02F1/35 G02F1/39 G02F1/03 G03F7/00 C23C14/06 C23C14/58

代理机构：

北京华进京联知识产权代理有限公司 11606

代理人：

乔改利

法律状态：

公开

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	公开	公开
2025-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20241226

共 50 条

[1]

铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法 [P].

丁婷婷 ;

郑远林 ;

陈险峰 .

中国专利 :CN107561817A ,2018-01-09

[2]

铌酸锂单晶薄膜及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112410885A ,2021-02-26

[3]

基于周期极化铌酸锂的多光子源及其制备方法 [P].

徐博宇 ;

任希锋 ;

冯兰天 ;

郭光灿 .

中国专利 :CN119620504A ,2025-03-14

[4]

一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法 [P].

胡文 .

中国专利 :CN107059128B ,2017-08-18

[5]

铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112540428A ,2021-03-23

[6]

铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112538610A ,2021-03-23

[7]

一种周期极化薄膜铌酸锂波导结构 [P].

朱志宏 ;

吴易恒 ;

陈海涛 ;

金世龙 ;

符庭钊 ;

朱梦剑 ;

周思宇 ;

江金豹 ;

李晗升 .

中国专利 :CN221946312U ,2024-11-01

[8]

金属离子掺杂的铌酸锂单晶薄膜、其掺杂方法及其制备方法 [P].

王文佳 .

中国专利 :CN120776455A ,2025-10-14

[9]

一种铌酸锂单晶薄膜的制备工艺 [P].

罗毅 ;

龚瑞 ;

赵建华 ;

肖立 .

中国专利 :CN118875836A ,2024-11-01

[10]

铌酸锂薄膜超晶格的制备方法 [P].

尹志军 ;

崔国新 ;

叶志霖 ;

许志城 .

中国专利 :CN112195520B ,2021-01-08

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