金属离子掺杂的铌酸锂单晶薄膜、其掺杂方法及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510950527.9

申请日：

2025-07-10

公开(公告)号：

CN120776455A

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

王文佳

申请人：

索罗曼（常州）合金新材料有限公司广州众山新材料股份有限公司

申请人地址：

213212 江苏省常州市金坛区中兴路86号

IPC主分类号：

C30B31/22

IPC分类号：

C30B29/30 C30B33/02

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

陈秋梦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 31/22申请日:20250710
2025-10-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种X/Y切稀土离子掺杂铌酸锂单晶薄膜制备方法 [P].

赵呈春 ;

杭寅 ;

陶斯亮 ;

李善明 ;

朱影 .

中国专利 :CN118127631A ,2024-06-04

[2]

铌酸锂单晶薄膜及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112410885A ,2021-02-26

[3]

铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112540428A ,2021-03-23

[4]

铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法 [P].

周赤 ;

吉贵军 ;

刘昆 ;

张大鹏 ;

王兴龙 .

中国专利 :CN112538610A ,2021-03-23

[5]

一种掺杂活性离子的铌酸锂/钽酸锂薄膜及其制备方法 [P].

胡文 ;

张秀全 ;

唐供宾 ;

刘桂银 ;

杨超 ;

侯文青 .

中国专利 :CN121062288A ,2025-12-05

[6]

周期极化的铌酸锂薄膜及其制备方法 [P].

张国权 ;

张煜晨 ;

李三兵 ;

许京军 .

中国专利 :CN119956304A ,2025-05-09

[7]

钽酸锂单晶薄膜制备方法及其应用 [P].

万青 ;

胡钰晴 .

中国专利 :CN119913618A ,2025-05-02

[8]

一种铌酸锂单晶薄膜的制备工艺 [P].

罗毅 ;

龚瑞 ;

赵建华 ;

肖立 .

中国专利 :CN118875836A ,2024-11-01

[9]

大尺寸掺杂铌酸锂晶体及其制备方法 [P].

方双全 .

中国专利 :CN101956236A ,2011-01-26

[10]

一种掺杂铌酸锂前驱体及掺杂铌酸锂多晶料的制备方法 [P].

沈丽明 ;

吉成 ;

戴鹏 ;

郭国标 ;

王一峰 ;

暴宁钟 .

中国专利 :CN109056076A ,2018-12-21

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