GeSn光电探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710686361.X

申请日：

2017-08-11

公开(公告)号：

CN107611192A

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

张亮

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市高新区高新一路15号（中航大厦）7层-A009号

IPC主分类号：

H01L31028

IPC分类号：

H01L31105 H01L3118

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-19	公开	公开
2020-10-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/028 申请公布日:20180119
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/028 申请日:20170811

共 50 条

[1]

一种光电探测器 [P].

张亮 .

中国专利 :CN207542265U ,2018-06-26

[2]

一种横向PiN结构GeSn光电探测器及其制备方法 [P].

张捷 .

中国专利 :CN107658364A ,2018-02-02

[3]

横向PiN结构光电探测器 [P].

张亮 .

中国专利 :CN107658363A ,2018-02-02

[4]

光电探测器 [P].

张捷 .

中国专利 :CN207441732U ,2018-06-01

[5]

n+‑GeSn/i‑GeSn/p+‑Ge结构光电探测器及其制备方法 [P].

乔丽萍 .

中国专利 :CN107871800A ,2018-04-03

[6]

基于弛豫GeSn材料的光电探测器 [P].

张春福 ;

韩根全 ;

王轶博 ;

汪银花 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105895727B ,2016-08-24

[7]

基于Ge/Si虚衬底的GeSn光电探测器及其制备方法 [P].

乔丽萍 .

中国专利 :CN107785454A ,2018-03-09

[8]

基于LRC工艺的横向PiNGe光电探测器及其制备方法 [P].

张捷 .

中国专利 :CN107658365A ,2018-02-02

[9]

光电探测器的制备方法及光电探测器 [P].

陈威 ;

陈思敏 ;

吴久凤 ;

丛璟 ;

徐琪玮 .

中国专利 :CN118412400A ,2024-07-30

[10]

波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法 [P].

汪巍 ;

方青 ;

涂芝娟 ;

曾友宏 ;

蔡艳 ;

王庆 ;

王书晓 ;

余明斌 .

中国专利 :CN110896112B ,2020-03-20

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