n+‑GeSn/i‑GeSn/p+‑Ge结构光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710104256.0

申请日：

2017-02-24

公开(公告)号：

CN107871800A

公开(公告)日：

2018-04-03

发明(设计)人：

乔丽萍

申请人：

申请人地址：

712081 陕西省咸阳市文汇东路6号西藏民族大学

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310232 H01L31028 H01L310352 H01L31105

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-03	公开	公开
2021-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20170224 授权公告日:20190614 终止日期:20200224
2019-05-17	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 31/18 登记生效日:20190429 变更事项:申请人变更前权利人:乔丽萍变更后权利人:西藏民族大学变更事项:地址变更前权利人:712081 陕西省咸阳市文汇东路6号西藏民族大学变更后权利人:712081 陕西省咸阳市渭城区文汇东路6号
2018-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20170224
2019-06-14	授权	授权

共 50 条

[1]

n+‑Si/i‑Ge/p+‑Ge结构PIN光电探测器及其制备方法 [P].

张洁 ;

宋建军 ;

包文涛 .

中国专利 :CN107785453A ,2018-03-09

[2]

GeSn光电探测器 [P].

张亮 .

中国专利 :CN107611192A ,2018-01-19

[3]

基于Ge/Si虚衬底的GeSn光电探测器及其制备方法 [P].

乔丽萍 .

中国专利 :CN107785454A ,2018-03-09

[4]

一种横向PiN结构GeSn光电探测器及其制备方法 [P].

张捷 .

中国专利 :CN107658364A ,2018-02-02

[5]

基于LRC工艺的n-Ge-i-Ge-p-Si结构波导型光电探测器及其制备方法 [P].

乔丽萍 .

中国专利 :CN107863399B ,2018-03-30

[6]

波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法 [P].

汪巍 ;

方青 ;

涂芝娟 ;

曾友宏 ;

蔡艳 ;

王庆 ;

王书晓 ;

余明斌 .

中国专利 :CN110896112B ,2020-03-20

[7]

双本征Ge阻挡层GeSn合金PIN光电探测器 [P].

苗渊浩 ;

宋建军 ;

蒋道福 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 .

中国专利 :CN107785452B ,2018-03-09

[8]

GeSn波导型单行载流子光探测器结构及其制备方法 [P].

舒斌 ;

朱佳迪 ;

张二同 ;

胡辉勇 ;

王利明 ;

李婉 .

中国专利 :CN113964213A ,2022-01-21

[9]

驰豫GeSn红外雪崩光电探测器及其制造方法 [P].

汪巍 ;

方青 ;

涂芝娟 ;

曾友宏 ;

蔡艳 ;

王庆 ;

王书晓 ;

余明斌 .

中国专利 :CN110797431A ,2020-02-14

[10]

基于Ge波导的GeSn红外光电探测器及其制造方法 [P].

汪巍 ;

方青 ;

涂芝娟 ;

曾友宏 ;

蔡艳 ;

余明斌 .

中国专利 :CN110729373B ,2020-01-24

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