n+‑Si/i‑Ge/p+‑Ge结构PIN光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610728893.0

申请日：

2016-08-25

公开(公告)号：

CN107785453A

公开(公告)日：

2018-03-09

发明(设计)人：

张洁宋建军包文涛

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学

IPC主分类号：

H01L31105

IPC分类号：

H01L3118 H01L2102 H01L21268

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/105 申请日:20160825
2018-03-09	公开	公开
2019-10-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 31/105 申请公布日:20180309

共 50 条

[1]

基于Ge/Si虚衬底的Ge PIN光电探测器及其制备方法 [P].

乔丽萍 .

中国专利 :CN107785451A ,2018-03-09

[2]

n+‑GeSn/i‑GeSn/p+‑Ge结构光电探测器及其制备方法 [P].

乔丽萍 .

中国专利 :CN107871800A ,2018-04-03

[3]

基于Ge/Si虚衬底的GeSn光电探测器及其制备方法 [P].

乔丽萍 .

中国专利 :CN107785454A ,2018-03-09

[4]

基于LRC工艺的n-Ge-i-Ge-p-Si结构波导型光电探测器及其制备方法 [P].

乔丽萍 .

中国专利 :CN107863399B ,2018-03-30

[5]

双本征Ge阻挡层GeSn合金PIN光电探测器 [P].

苗渊浩 ;

宋建军 ;

蒋道福 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 .

中国专利 :CN107785452B ,2018-03-09

[6]

横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法 [P].

黄巍 ;

魏江镔 ;

陈松岩 ;

李成 .

中国专利 :CN103928562A ,2014-07-16

[7]

Ge光电探测器及其制备方法 [P].

方青 ;

张馨丹 ;

邵瑶 ;

胡鹤鸣 ;

顾苗苗 ;

陈华 ;

张志群 ;

陈晓峰 .

中国专利 :CN111785791A ,2020-10-16

[8]

Ge光电探测器及其制备方法 [P].

方青 ;

张馨丹 ;

邵瑶 ;

胡鹤鸣 ;

顾苗苗 ;

陈华 ;

张志群 ;

陈晓峰 .

中国专利 :CN111785791B ,2025-02-14

[9]

Ge光电探测器 [P].

方青 ;

张馨丹 ;

邵瑶 ;

胡鹤鸣 ;

顾苗苗 ;

陈华 ;

张志群 ;

陈晓峰 .

中国专利 :CN212257412U ,2020-12-29

[10]

Ge光电探测器 [P].

和田一实 ;

道格拉斯·D·坎农 ;

刘纪风 ;

莱昂内尔·C·基默尔灵 ;

石川靖彦 .

中国专利 :CN100399586C ,2005-07-13

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