基于Ge/Si虚衬底的Ge PIN光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610726482.8

申请日：

2016-08-25

公开(公告)号：

CN107785451A

公开(公告)日：

2018-03-09

发明(设计)人：

乔丽萍

申请人：

申请人地址：

712082 陕西省咸阳市文汇东路6号

IPC主分类号：

H01L31105

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

汤东凤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-09	公开	公开
2021-04-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/105 申请公布日:20180309
2018-08-10	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/105 变更事项:申请人变更前:西藏民族大学变更后:西藏民族大学变更事项:地址变更前:712082 陕西省咸阳市文汇东路6号变更后:712082 陕西省咸阳市渭城区文汇东路6号
2018-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/105 申请日:20160825

共 50 条

[1]

基于Ge/Si虚衬底的GeSn光电探测器及其制备方法 [P].

乔丽萍 .

中国专利 :CN107785454A ,2018-03-09

[2]

n+‑Si/i‑Ge/p+‑Ge结构PIN光电探测器及其制备方法 [P].

张洁 ;

宋建军 ;

包文涛 .

中国专利 :CN107785453A ,2018-03-09

[3]

Ge/Si虚衬底材料及其制备方法 [P].

魏青 ;

宋建军 ;

蔡丽莹 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 .

中国专利 :CN107785408A ,2018-03-09

[4]

一种横向PiN结构GeSn光电探测器及其制备方法 [P].

张捷 .

中国专利 :CN107658364A ,2018-02-02

[5]

Ge光电探测器及其制备方法 [P].

方青 ;

张馨丹 ;

邵瑶 ;

胡鹤鸣 ;

顾苗苗 ;

陈华 ;

张志群 ;

陈晓峰 .

中国专利 :CN111785791A ,2020-10-16

[6]

Ge光电探测器及其制备方法 [P].

方青 ;

张馨丹 ;

邵瑶 ;

胡鹤鸣 ;

顾苗苗 ;

陈华 ;

张志群 ;

陈晓峰 .

中国专利 :CN111785791B ,2025-02-14

[7]

双本征Ge阻挡层GeSn合金PIN光电探测器 [P].

苗渊浩 ;

宋建军 ;

蒋道福 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 .

中国专利 :CN107785452B ,2018-03-09

[8]

基于LRC工艺的横向PiNGe光电探测器及其制备方法 [P].

张捷 .

中国专利 :CN107658365A ,2018-02-02

[9]

一种激光辅助再晶化Ge/Si虚衬底上直接带隙Ge及其制备方法 [P].

张洁 ;

宋建军 ;

魏青 .

中国专利 :CN107785461B ,2018-03-09

[10]

Ge光电探测器 [P].

方青 ;

张馨丹 ;

邵瑶 ;

胡鹤鸣 ;

顾苗苗 ;

陈华 ;

张志群 ;

陈晓峰 .

中国专利 :CN212257412U ,2020-12-29

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