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去除阻挡层的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010519561.8
申请日
:
2020-06-09
公开(公告)号
:
CN113782430A
公开(公告)日
:
2021-12-10
发明(设计)人
:
王晖
张洪伟
代迎伟
金一诺
王坚
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
IPC主分类号
:
H01L21311
IPC分类号
:
H01L21768
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
陆嘉
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-12-10
公开
公开
共 50 条
[1]
去除阻挡层的方法
[P].
王晖
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
王晖
;
张洪伟
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0
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0
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0
机构:
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
张洪伟
;
代迎伟
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0
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机构:
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
代迎伟
;
金一诺
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0
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0
机构:
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
金一诺
;
王坚
论文数:
0
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0
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0
机构:
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
王坚
.
中国专利
:CN113782430B
,2025-09-12
[2]
阻挡层的去除方法和装置
[P].
王坚
论文数:
0
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王坚
;
贾照伟
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贾照伟
;
武俊萍
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0
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武俊萍
;
谢良智
论文数:
0
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谢良智
;
王晖
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0
王晖
.
中国专利
:CN101882595B
,2010-11-10
[3]
阻挡层的去除方法和装置
[P].
王坚
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王坚
;
贾照伟
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0
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贾照伟
;
武俊萍
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武俊萍
;
谢良智
论文数:
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谢良智
;
王晖
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王晖
.
中国专利
:CN103985670B
,2014-08-13
[4]
渗透阻挡层
[P].
J·拉姆
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0
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0
J·拉姆
.
中国专利
:CN101999012A
,2011-03-30
[5]
渗透阻挡层
[P].
J·拉姆
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0
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0
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0
J·拉姆
.
中国专利
:CN105695934A
,2016-06-22
[6]
氧化阻挡层
[P].
尤尔根·拉姆
论文数:
0
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0
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尤尔根·拉姆
;
弗洛里安·塞伯特
论文数:
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弗洛里安·塞伯特
;
贝诺·维德里希
论文数:
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贝诺·维德里希
;
多丽丝·佛普斯婆丽
论文数:
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多丽丝·佛普斯婆丽
.
中国专利
:CN105917020B
,2016-08-31
[7]
形成MgO阻挡层的方法
[P].
Q·何
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0
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Q·何
;
J·Y·易
论文数:
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J·Y·易
;
E·W·辛格尔顿
论文数:
0
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0
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0
E·W·辛格尔顿
.
中国专利
:CN106098082A
,2016-11-09
[8]
自形成阻挡层工艺
[P].
安鲁达哈·乔伊
论文数:
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引用数:
0
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
安鲁达哈·乔伊
;
耶兹迪·多尔迪
论文数:
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0
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0
机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
耶兹迪·多尔迪
.
美国专利
:CN110870046B
,2024-05-24
[9]
自形成阻挡层工艺
[P].
安鲁达哈·乔伊
论文数:
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
安鲁达哈·乔伊
;
耶兹迪·多尔迪
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0
机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
耶兹迪·多尔迪
.
美国专利
:CN118824839A
,2024-10-22
[10]
碱金属扩散阻挡层
[P].
J·J·芬雷
论文数:
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J·J·芬雷
;
F·H·吉勒里
论文数:
0
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0
F·H·吉勒里
.
中国专利
:CN1162575A
,1997-10-22
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